10月24日下午，应光伏产业技术研究院邀请，刘勇博士来光伏产业技术研究院作了题为《催化浅结掺杂在硅异质结太阳电池中的应用》的报告。
刘勇博士的报告从硅异质结太阳电池、催化浅结掺杂技术、硅合金上的催化浅结掺杂、催化浅结掺杂在太阳能电池中的应用四个方面展开，就硅异质太阳电池结构、何为催化浅结掺杂技术、催化浅结掺杂技术的利与弊、催化浅结掺杂技术在不同材料上的作用等重点问题深入讲解，同时刘勇博士也介绍了其研究小组在此领域上的成果。
报告会上刘勇博士总结出，“Cat-doping可实现硅合金上的浅层掺杂来提升电学性质、掺杂效果和材料属性及微结构相关”，“Cat-doping也会带来微弱的自由载流子吸收增加”等结论。
报告结束后，刘勇博士就师生感兴趣的问题进行了答疑。
硅异质结(Silicon heterojunction,SHJ )太阳电池作为极具竞争力的下一代光伏技术，拥有转换效率高，性能稳定，工艺简单等优点。如何进一步提高SHJ太阳电池的效率一直是研究的热点。催化浅结掺杂(Catalytic-doping, Cat-doping) 作为一种简单高效，便宜可规模化的浅层掺杂技术，可用于进一步提升硅异质结电池中材料的电学性质以及各个界面的钝化效果。
链接：刘勇，德国于利希研究中心研究员。多年从事硅异质结太阳电池的研发和光伏领域相关研发工作，研究课题“超薄晶硅薄膜太阳电池光管理技术研究”，包括铝锈导表面织构玻璃和硅纳米线的制备，以及其在太阳电池中的应用。涉及使用铝诱导对玻璃衬底进行织构，使用金属辅助化学刻蚀方法制备硅纳米线陷光结构，进而验证两种结构对光吸收的增强以及对硅太阳电池效率的提升。研究课题“硅合金上浅结催化掺杂(Catalytic-doping)及其在硅异质结太阳电池中的应用”，包括使用基于HWCVD的Catalytic-doping技术在非晶硅、微晶硅、纳米氧化硅、微晶碳化硅上进行表层掺杂，对掺杂效果进行表征和控制:最终，在使用以上几种薄膜材料的硅异质结电池中应用Catalytic-doping掺杂来提高电池的填充因子和开路电压进而提升电池效率。
